casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS4C03NWFT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS4C03NWFT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS4C03NWFT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS4C03NWFT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31.4A (Ta), 143A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3071pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.71W (Ta), 77W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS4C03NWFT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS4C03NWFT3G-FT |
NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor
NTMFS4H013NFT1G
ON Semiconductor
NTMFS4H013NFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZWFT3G
ON Semiconductor
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZT3G
ON Semiconductor
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel