casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4H013NFT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS4H013NFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4H013NFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4H013NFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Ta), 269A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3923pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4H013NFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4H013NFT1G-FT |
NVMFS4C01NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NT1G
ON Semiconductor
NVMFS4C302NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT3G
ON Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel