casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4H01NFT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS4H01NFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4H01NFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4H01NFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Ta), 334A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5538pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4H01NFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4H01NFT1G-FT |
NVMFS4C302NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5113PLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NLWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C404NWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLAFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT1G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel