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ON Semiconductor NTMFS4H013NFT3G

Name: NTMFS4H013NFT3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4H013NFT3G
Price: 0.9152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (301 reviews)

Numero parte MFG: NTMFS4H013NFT3G

quantità disponibile: 93490 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.9152

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTMFS4H013NFT3G.pdf

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NTMFS4H013NFT3G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTMFS4H013NFT3G
Numero di parte futuro	FT-NTMFS4H013NFT3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTMFS4H013NFT3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	43A (Ta), 269A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3923pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H013NFT3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTMFS4H013NFT3G-FT

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