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ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G

Numero parte MFG
NVMFD5C650NLT1G
quantità disponibile
38110 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.908512
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NVMFD5C650NLT1G specificazioni

codice articolo del costruttore NVMFD5C650NLT1G
Numero di parte futuro FT-NVMFD5C650NLT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFD5C650NLT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V
Potenza - Max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFD5C650NLT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVMFD5C650NLT1G-FT

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