casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMD6P02R2G
codice articolo del costruttore | NVMD6P02R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMD6P02R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMD6P02R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Potenza - Max | 750mW |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD6P02R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMD6P02R2G-FT |
MTM763200LBF
Panasonic Electronic Components
UP0187B00L
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FC6546010R
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XC2S200-5PQ208C
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XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel