casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMD6P02R2G
codice articolo del costruttore | NVMD6P02R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMD6P02R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMD6P02R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Potenza - Max | 750mW |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD6P02R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMD6P02R2G-FT |
MTM763200LBF
Panasonic Electronic Components
UP0187B00L
Panasonic Electronic Components
FC6546010R
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FG6943010R
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A40MX04-VQG80
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S700A-4FT256C
Xilinx Inc.
XCV150-6FG456C
Xilinx Inc.
EP3C5U256C6
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC4028XL-1BG256I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
EPF10K100ARC240-3
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel