casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMD6N04R2G
codice articolo del costruttore | NVMD6N04R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMD6N04R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMD6N04R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 32V |
Potenza - Max | 1.29W |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD6N04R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMD6N04R2G-FT |
MTM684110LBF
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XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
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EP3SL70F484C2
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A40MX02-PQG100
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