casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMD3P03R2G
codice articolo del costruttore | NVMD3P03R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMD3P03R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMD3P03R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.34A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
Potenza - Max | 730mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD3P03R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMD3P03R2G-FT |
FC8V33030L
Panasonic Electronic Components
MTM684100LBF
Panasonic Electronic Components
MTM684110LBF
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MTMC8E2A0LBF
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MTM763200LBF
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UP0187B00L
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FC6946010R
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UP0487C00L
Panasonic Electronic Components
ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel