casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NVMD3P03R2G
codice articolo del costruttore | NVMD3P03R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMD3P03R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMD3P03R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.34A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
Potenza - Max | 730mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD3P03R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMD3P03R2G-FT |
FC8V33030L
Panasonic Electronic Components
MTM684100LBF
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MTM684110LBF
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AGLN015V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP70-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176M
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35F672C7
Intel
EP4CE40U19I7N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation