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ON Semiconductor NVMFD5877NLWFT1G
- Numero parte MFG
- NVMFD5877NLWFT1G
- quantità disponibile
- 14200 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.400888
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NVMFD5877NLWFT1G.pdf
NVMFD5877NLWFT1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | NVMFD5877NLWFT1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NVMFD5877NLWFT1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NVMFD5877NLWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFD5877NLWFT1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NVMFD5877NLWFT1G-FT |
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