casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTLTD7900ZR2G
codice articolo del costruttore | NTLTD7900ZR2G |
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Numero di parte futuro | FT-NTLTD7900ZR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTLTD7900ZR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 16V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLTD7900ZR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTLTD7900ZR2G-FT |
HAT2038R-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2092R-EL-E
Renesas Electronics America
RJM0306JSP-01#J0
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UPA2373T1P-E4-A
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FC8V22040L
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XC6SLX9-L1TQG144I
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LCMXO2-2000HC-4TG144I
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A54SX08A-2TQ144
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XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
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EP3SL340F1517C3N
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5CEBA4U19C7N
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EP20K1000EBC652-1
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