casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTMD4N03R2G
codice articolo del costruttore | NTMD4N03R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMD4N03R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMD4N03R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMD4N03R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMD4N03R2G-FT |
UPA2373T1P-E4-A
Renesas Electronics America
MTM78E2B0LBF
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Lattice Semiconductor Corporation
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XC6SLX100T-N3FG676I
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XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
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