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ON Semiconductor NVMFS4C302NWFT1G

Numero parte MFG
NVMFS4C302NWFT1G
quantità disponibile
65040 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.631352
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
Automotive, AEC-Q101 NFET SO8FL 30V 1.15MO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NVMFS4C302NWFT1G
Numero di parte futuro FT-NVMFS4C302NWFT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS4C302NWFT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Ta), 241A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5780pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 115W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN, 5 Leads
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS4C302NWFT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVMFS4C302NWFT1G-FT

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