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ON Semiconductor NVMFS5113PLWFT1G

Name: NVMFS5113PLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5113PLWFT1G
Price: 1.049768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (329 reviews)

Numero parte MFG: NVMFS5113PLWFT1G

quantità disponibile: 52220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.049768

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVMFS5113PLWFT1G.pdf

NVMFS5113PLWFT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NVMFS5113PLWFT1G
Numero di parte futuro	FT-NVMFS5113PLWFT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFS5113PLWFT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 64A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4400pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5113PLWFT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVMFS5113PLWFT1G-FT

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