casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS4C03NWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS4C03NWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS4C03NWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS4C03NWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31.4A (Ta), 143A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3071pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.71W (Ta), 77W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS4C03NWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS4C03NWFT1G-FT |
NTMFS4946NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4955NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C025NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C032NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C13NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4H02NFT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H600NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS6B03NT1G
ON Semiconductor
NTMFS6D1N08HT1G
ON Semiconductor
NTMFS6H801NT1G
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel