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ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G-001

Name: NTMFS4C10NT1G-001
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4C10NT1G-001
Availability: InStock
Rating: 4.5 (417 reviews)

Numero parte MFG: NTMFS4C10NT1G-001

quantità disponibile: 46430 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTMFS4C10NT1G-001.pdf

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NTMFS4C10NT1G-001 specificazioni

codice articolo del costruttore	NTMFS4C10NT1G-001
Numero di parte futuro	FT-NTMFS4C10NT1G-001
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTMFS4C10NT1G-001 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A (Ta), 46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.95 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.6nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	987pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4C10NT1G-001 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTMFS4C10NT1G-001-FT

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