casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS5C430NT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS5C430NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS5C430NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS5C430NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta), 185A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 106W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS5C430NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS5C430NT1G-FT |
NTMFS5H409NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H409NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H419NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H610NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS6B03NT3G
ON Semiconductor
NTMFS6B05NT3G
ON Semiconductor
NTMFS6B14NT1G
ON Semiconductor
NTMFS6H800NT1G
ON Semiconductor
NTMFS6H836NT1G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel