casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS5C410NT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS5C410NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS5C410NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS5C410NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Ta), 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.92 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 166W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS5C410NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS5C410NT1G-FT |
NTMFS5C670NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5C673NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5C682NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H400NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5H409NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H409NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H419NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H610NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS6B03NT3G
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel