casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS5C430NLT3G
codice articolo del costruttore | NTMFS5C430NLT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS5C430NLT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS5C430NLT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS5C430NLT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS5C430NLT3G-FT |
NTMFS5H400NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5H409NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H409NLT3G
ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H419NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5H610NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS6B03NT3G
ON Semiconductor
NTMFS6B05NT3G
ON Semiconductor
NTMFS6B14NT1G
ON Semiconductor
NTMFS6H800NT1G
ON Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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