casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / RJM0306JSP-01#J0
codice articolo del costruttore | RJM0306JSP-01#J0 |
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Numero di parte futuro | FT-RJM0306JSP-01#J0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJM0306JSP-01#J0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.2W |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJM0306JSP-01#J0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJM0306JSP-01#J0-FT |
MCH6663-TL-W
ON Semiconductor
MCH6664-TL-W
ON Semiconductor
US6M2TR
Rohm Semiconductor
US6M1TR
Rohm Semiconductor
US6J2TR
Rohm Semiconductor
US6K4TR
Rohm Semiconductor
US6M11TR
Rohm Semiconductor
US6J11TR
Rohm Semiconductor
US6K1TR
Rohm Semiconductor
US6K2TR
Rohm Semiconductor
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel