casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / MTM78E2B0LBF
codice articolo del costruttore | MTM78E2B0LBF |
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Numero di parte futuro | FT-MTM78E2B0LBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM78E2B0LBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 2A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Potenza - Max | 150mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSMini8-F1-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM78E2B0LBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM78E2B0LBF-FT |
US6M2TR
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US6M1TR
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US6J2TR
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M2GL025T-1VFG256
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10M50DAF256C6GES
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