casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FC8V33030L
codice articolo del costruttore | FC8V33030L |
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Numero di parte futuro | FT-FC8V33030L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FC8V33030L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 33V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 480µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | WMini8-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FC8V33030L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FC8V33030L-FT |
US6M11TR
Rohm Semiconductor
US6J11TR
Rohm Semiconductor
US6K1TR
Rohm Semiconductor
US6K2TR
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US6M2GTR
Rohm Semiconductor
US5K3TR
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TT8M1TR
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TT8J21TR
Rohm Semiconductor
TT8J11TCR
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TT8J13TCR
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A54SX08A-1FG144
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A54SX32A-1TQG176M
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LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F1152I3
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A42MX16-TQG176
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EP4SGX180DF29C2XN
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