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ON Semiconductor NTLJS3A18PZTWG

Name: NTLJS3A18PZTWG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJS3A18PZTWG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (357 reviews)

Numero parte MFG: NTLJS3A18PZTWG

quantità disponibile: 29400 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTLJS3A18PZTWG.pdf

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NTLJS3A18PZTWG specificazioni

codice articolo del costruttore	NTLJS3A18PZTWG
Numero di parte futuro	FT-NTLJS3A18PZTWG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTLJS3A18PZTWG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2240pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJS3A18PZTWG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTLJS3A18PZTWG-FT

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