casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MMDF3N02HDR2
codice articolo del costruttore | MMDF3N02HDR2 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDF3N02HDR2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDF3N02HDR2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDF3N02HDR2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDF3N02HDR2-FT |
NTB22N06LT4
ON Semiconductor
NTB22N06T4
ON Semiconductor
NTB23N03R
ON Semiconductor
NTB23N03RG
ON Semiconductor
NTB23N03RT4G
ON Semiconductor
NTB25P06
ON Semiconductor
NTB25P06G
ON Semiconductor
NTB27N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06G
ON Semiconductor
NTB30N06L
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.