casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MMDF3N02HDR2
codice articolo del costruttore | MMDF3N02HDR2 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDF3N02HDR2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDF3N02HDR2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDF3N02HDR2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDF3N02HDR2-FT |
NTB22N06LT4
ON Semiconductor
NTB22N06T4
ON Semiconductor
NTB23N03R
ON Semiconductor
NTB23N03RG
ON Semiconductor
NTB23N03RT4G
ON Semiconductor
NTB25P06
ON Semiconductor
NTB25P06G
ON Semiconductor
NTB27N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06G
ON Semiconductor
NTB30N06L
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel