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ON Semiconductor NTLJD3182FZTBG

Name: NTLJD3182FZTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJD3182FZTBG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (783 reviews)

Numero parte MFG: NTLJD3182FZTBG

quantità disponibile: 25850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTLJD3182FZTBG.pdf

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NTLJD3182FZTBG specificazioni

codice articolo del costruttore	NTLJD3182FZTBG
Numero di parte futuro	FT-NTLJD3182FZTBG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTLJD3182FZTBG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	710mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJD3182FZTBG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTLJD3182FZTBG-FT

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