casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTHS5445T1
codice articolo del costruttore | NTHS5445T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NTHS5445T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHS5445T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHS5445T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTHS5445T1-FT |
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
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