casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS7N03R2G
codice articolo del costruttore | NTMS7N03R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMS7N03R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS7N03R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS7N03R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS7N03R2G-FT |
NVB5404NT4G
ON Semiconductor
NTB5405NT4G
ON Semiconductor
NTB60N06T4G
ON Semiconductor
MTB23P06VT4
ON Semiconductor
MTB30P06VT4
ON Semiconductor
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor
MTB50P03HDLG
ON Semiconductor
MTB50P03HDLT4
ON Semiconductor
MTB75N05HDT4
ON Semiconductor
NTB22N06LT4
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel