casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMS5P02R2G
codice articolo del costruttore | NVMS5P02R2G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMS5P02R2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMS5P02R2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.95A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 16V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMS5P02R2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMS5P02R2G-FT |
MTB30P06VT4G
ON Semiconductor
MTB50P03HDLG
ON Semiconductor
MTB50P03HDLT4
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MTB75N05HDT4
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NTB22N06LT4
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NTB22N06T4
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NTB23N03R
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NTB23N03RG
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NTB25P06
ON Semiconductor
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
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