casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTHD3101FT3G
codice articolo del costruttore | NTHD3101FT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NTHD3101FT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHD3101FT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHD3101FT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTHD3101FT3G-FT |
NVB6410ANT4G
ON Semiconductor
NVB6411ANT4G
ON Semiconductor
NVB6412ANT4G
ON Semiconductor
NVB6413ANT4G
ON Semiconductor
SMP3003-TL-1E
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SMP3003-DL-1E
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BBS3002-DL-1E
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BBS3002-TL-1E
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2SJ665-DL-1EX
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NTTFS4800NTWG
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LFXP6E-3TN144C
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EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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