casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / VT6X11T2R
codice articolo del costruttore | VT6X11T2R |
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Numero di parte futuro | FT-VT6X11T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VT6X11T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6X11T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VT6X11T2R-FT |
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004ADR
Texas Instruments
A1010B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3FG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP4SGX230KF40I4
Intel
EP4SGX360KF43I4N
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE80F1152C2N
Intel
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation