codice articolo del costruttore | EMZ2T2R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EMZ2T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMZ2T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz, 140MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ2T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMZ2T2R-FT |
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage
ULN2004APG,C,N
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V1000-5FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQG208
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC256-2
Intel
XC4005XL-3PC84C
Xilinx Inc.
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
LFXP20C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel
EP20K60EFC324-3
Intel
EPF10K70RC240-4N
Intel