casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS60601MZ4T3G
codice articolo del costruttore | NSS60601MZ4T3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NSS60601MZ4T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS60601MZ4T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS60601MZ4T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS60601MZ4T3G-FT |
NSV2SC5658M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC856BM3T5G
ON Semiconductor
NSV2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
MJD31C1G
ON Semiconductor
MJD42C1G
ON Semiconductor
MJD253-1G
ON Semiconductor
MJD112-1G
ON Semiconductor
MJD117-1G
ON Semiconductor
XC6SLX150-N3CSG484C
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1517C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30CF780C5
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel