casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT5551M3T5G
codice articolo del costruttore | NSVMMBT5551M3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMBT5551M3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMMBT5551M3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 265mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT5551M3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMBT5551M3T5G-FT |
NJVMJD127T4G
ON Semiconductor
NJVMJD128T4G
ON Semiconductor
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor
NJVMJD44E3T4G
ON Semiconductor
MJD5731T4G
ON Semiconductor
MJD2955T4G
ON Semiconductor
MJD32T4G
ON Semiconductor
MJD41CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor
XC2S50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG256A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68
Microsemi Corporation
XC4013XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP3CLS100U484I7N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
Lattice Semiconductor Corporation