casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS40200UW6T1G
codice articolo del costruttore | NSS40200UW6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS40200UW6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS40200UW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 20mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 875mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS40200UW6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS40200UW6T1G-FT |
NJVMJD44E3T4G
ON Semiconductor
MJD5731T4G
ON Semiconductor
MJD2955T4G
ON Semiconductor
MJD32T4G
ON Semiconductor
MJD41CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD42CRLG
ON Semiconductor
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel