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ON Semiconductor MJD117-1G

Numero parte MFG
MJD117-1G
quantità disponibile
68780 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.544
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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MJD117-1G specificazioni

codice articolo del costruttore MJD117-1G
Numero di parte futuro FT-MJD117-1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MJD117-1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type PNP - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max 1.75W
Frequenza - Transizione 25MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MJD117-1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MJD117-1G-FT

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