casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD117-1G
codice articolo del costruttore | MJD117-1G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD117-1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD117-1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD117-1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD117-1G-FT |
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor
NJVMJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD42CRLG
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NJVMJD6039T4G
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NJVMJD31CRLG
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NJD1718T4G
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BUD42D
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BUD42D-001
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BUD42D-1G
ON Semiconductor
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
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AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
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EP4CGX75CF23C6
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EP2SGX60EF1152C3N
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A42MX24-3TQG176I
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10AX027E1F27E1HG
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