casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSF8MTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | NSF8MTHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-NSF8MTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSF8MTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSF8MTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSF8MTHE3_A/P-FT |
D3001N65T
Infineon Technologies
D3001N68TXPSA1
Infineon Technologies
D3040N68T
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D3041N60TXPSA1
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D3041N65TXPSA1
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D3041N68TXPSA1
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D3501N40TXPSA1
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D3501N42TXPSA1
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D4201N20TXPSA1
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AGLN020V2-UCG81
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A3P1000-2FGG484I
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5SGXMA7N2F45C2
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