casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D3501N42TVFXPSA1
codice articolo del costruttore | D3501N42TVFXPSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-D3501N42TVFXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D3501N42TVFXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4870A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 4200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | BG-D12035K-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 160°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N42TVFXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D3501N42TVFXPSA1-FT |
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel