casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D3041N60TXPSA1
codice articolo del costruttore | D3041N60TXPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-D3041N60TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D3041N60TXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 6000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4090A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 6000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 160°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3041N60TXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D3041N60TXPSA1-FT |
IDC28D120T6MX1SA2
Infineon Technologies
IDC40D120T6MX1SA4
Infineon Technologies
IDC51D120T6MX1SA3
Infineon Technologies
NSR05301MX4T5G
ON Semiconductor
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation