casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / D3501N40TXPSA1
codice articolo del costruttore | D3501N40TXPSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-D3501N40TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D3501N40TXPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4870A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.27V @ 4000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100mA @ 4000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 160°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N40TXPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | D3501N40TXPSA1-FT |
NSR05301MX4T5G
ON Semiconductor
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel