casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSB4904DW1T1G
codice articolo del costruttore | NSB4904DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSB4904DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSB4904DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB4904DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSB4904DW1T1G-FT |
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor
NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S4000L-4FGG900C
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7VX330T-2FF1157I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2LG
Intel
EP3C40F324A7N
Intel