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codice articolo del costruttore | NS12575T101MNV |
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Numero di parte futuro | FT-NS12575T101MNV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NS |
NS12575T101MNV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.01A |
Corrente - Saturazione | 2.64A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 132 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 3.9MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.309" (7.85mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS12575T101MNV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NS12575T101MNV-FT |
NR3010T4R7M
Taiyo Yuden
NR3010T100M
Taiyo Yuden
NR3010T2R2M
Taiyo Yuden
NR3010T150M
Taiyo Yuden
NR3010T1R0N
Taiyo Yuden
NR3010T1R5N
Taiyo Yuden
NR3010T220M
Taiyo Yuden
NR3010T330M
Taiyo Yuden
NR3010T3R3M
Taiyo Yuden
NR3010T470M
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel