casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NR3010T150M
codice articolo del costruttore | NR3010T150M |
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Numero di parte futuro | FT-NR3010T150M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3010T150M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 15µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | 400mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 888 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 30MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T150M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3010T150M-FT |
NR6045T1R0N
Taiyo Yuden
NR6012T220ME
Taiyo Yuden
NR6012T101ME
Taiyo Yuden
NR6012T150ME
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NR6012T2R5NE
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NR6012T4R0NE
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NR6012T5R3ME
Taiyo Yuden
NR6012T6R8ME
Taiyo Yuden
NR6020T0R8N
Taiyo Yuden
NR6045T1R3N
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel