casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NR3010T2R2M
codice articolo del costruttore | NR3010T2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-NR3010T2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3010T2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | 1.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 114 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 82MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3010T2R2M-FT |
NR6020T100M
Taiyo Yuden
NR6045T1R0N
Taiyo Yuden
NR6012T220ME
Taiyo Yuden
NR6012T101ME
Taiyo Yuden
NR6012T150ME
Taiyo Yuden
NR6012T2R5NE
Taiyo Yuden
NR6012T4R0NE
Taiyo Yuden
NR6012T5R3ME
Taiyo Yuden
NR6012T6R8ME
Taiyo Yuden
NR6020T0R8N
Taiyo Yuden
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel