casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NR3010T4R7M
codice articolo del costruttore | NR3010T4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-NR3010T4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3010T4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 780mA |
Corrente - Saturazione | 750mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 56MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3010T4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3010T4R7M-FT |
NR6045T470M
Taiyo Yuden
NR6045T6R3M
Taiyo Yuden
NR6020T100M
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NR6045T1R0N
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NR6012T220ME
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NR6012T101ME
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NR6012T150ME
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NR6012T2R5NE
Taiyo Yuden
NR6012T4R0NE
Taiyo Yuden
NR6012T5R3ME
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel