casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI100-12A8
codice articolo del costruttore | MWI100-12A8 |
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Numero di parte futuro | FT-MWI100-12A8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI100-12A8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 640W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 6.3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12A8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MWI100-12A8-FT |
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
XC3S200-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
EP4SGX230KF40I4N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
LFXP20C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YF780I6G
Intel
EP2S130F780I4N
Intel