casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MWI100-12A8
codice articolo del costruttore | MWI100-12A8 |
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Numero di parte futuro | FT-MWI100-12A8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MWI100-12A8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 640W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 6.3mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12A8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MWI100-12A8-FT |
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
Intel
5AGXMA7G4F35C4N
Intel