casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGTQ50TA65T3G
codice articolo del costruttore | APTGTQ50TA65T3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGTQ50TA65T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGTQ50TA65T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 125W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGTQ50TA65T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGTQ50TA65T3G-FT |
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation
APTGT150A120G
Microsemi Corporation
APTGT150A120TG
Microsemi Corporation
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation