casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGTQ50TA65T3G
codice articolo del costruttore | APTGTQ50TA65T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGTQ50TA65T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGTQ50TA65T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Potenza - Max | 125W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGTQ50TA65T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGTQ50TA65T3G-FT |
APTGT100TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation
APTGT150A120G
Microsemi Corporation
APTGT150A120TG
Microsemi Corporation
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT150DH120G
Microsemi Corporation
APTGT150DH170G
Microsemi Corporation
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT150H120G
Microsemi Corporation
APTGT150H170G
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel