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Microsemi Corporation APTGTQ100DDA65T3G

Name: APTGTQ100DDA65T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGTQ100DDA65T3G
Price: 39.8256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (644 reviews)

Numero parte MFG: APTGTQ100DDA65T3G

quantità disponibile: 47820 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 39.8256

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - POWER MODULE - IGBT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTGTQ100DDA65T3G.pdf

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APTGTQ100DDA65T3G specificazioni

codice articolo del costruttore	APTGTQ100DDA65T3G
Numero di parte futuro	FT-APTGTQ100DDA65T3G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTGTQ100DDA65T3G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Dual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100A
Potenza - Max	250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	6nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3F
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGTQ100DDA65T3G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTGTQ100DDA65T3G-FT

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