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Microsemi Corporation APTGTQ100A65T1G

Numero parte MFG
APTGTQ100A65T1G
quantità disponibile
24210 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 33.08472
Il nostro prezzo
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- POWER MODULE - IGBT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Moduli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTGTQ100A65T1G specificazioni

codice articolo del costruttore APTGTQ100A65T1G
Numero di parte futuro FT-APTGTQ100A65T1G
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTGTQ100A65T1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGTQ100A65T1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTGTQ100A65T1G-FT

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