casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS360SHE3/52T
codice articolo del costruttore | MURS360SHE3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-MURS360SHE3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS360SHE3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS360SHE3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS360SHE3/52T-FT |
AS3BJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel