casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2AHE3_A/I
codice articolo del costruttore | ES2AHE3_A/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-ES2AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2AHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2AHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2AHE3_A/I-FT |
SB2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2M-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2M-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel