casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES2AHE3_A/H
codice articolo del costruttore | ES2AHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-ES2AHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2AHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2AHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES2AHE3_A/H-FT |
SB2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2M-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2M-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL22-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation